금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터( MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )는 디지털/아날로그 회로에서 가장 일반적으로 사용되는 전계효과 트랜지스터(FET)입니다.MOSFET은 N형 또는 P형 반도체 재료로 이루어진 채널로 구성되어 있습니다. 채널 재료에 따라 NMOSFET, PMOSFET로 분류되며, 두 가지를 모두 가진 소자를 상보형 MOSFET(CMOSFET)라고 합니다.FET 란?전계 효과 트랜지스터로, 트랜지스터와 함께 스위칭, 증폭, 발진 등의 기능을 수행합니다. 게이트 전극에 전압을 인가하면 전계 효과에 의해 게이트 아래 반도체 영역의 저항을 조절하여 전류를 제어합니다.FET은 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 총 ..

Zener Diode다이오드는 역방향 전압이 걸리면 전류를 흘려주지 않지만, 특정 전압이상의 역방향 전압을 걸면 PN접합에서 공핍층 내의 실리콘 원자간의 공유결합이 강력한 전자장에 의해 깨지면서 electron - hole pairs를 생성한다. 전자는 n 쪽으로 정공은 p쪽으로 끌려가면서 전류가 역방향으로 기하급수적으로 많이 흐르게 된다. 이 현상을 Zener effect : 제너효과 라고 부른다. 그리고 이때의 전압을 Breakdown voltage V_Z (항복전압)로 표현한다.이것을 이용해서 만든 소자를 제너 다이오드라고 한다. 순방향일때는 일반 다이오드와 동일한 특성을 갖는다. 제너 다이오드는 불순물 농도를 조절하여 항복전압을 조절할 수 있다. 제너 다이오드를 역방향으로 연결하면 항복전압이 문턱..

Di(2) + electrode(전극) = Diode(2극) 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 만드는 장치. 본래는 진공관의 2 극관 토마스 에디슨이 백열전구로 실험하다가 필라멘트에서 금속판(플레이트)으로 전류가 흐르는 것을 보고 발견한 에디슨 효과를 이용하여 탄생한 최초의 형식의 진공관이다. 에디슨은 백열전구의 효율 개선에만 관심이 있었고 에디슨 전기 회사는 직류를 직접 송전하고자 했기 때문에 이 효과에 관심을 두지 않았고 이후 영국의 플레밍이 1904년 특허등록, 무선전신부품으로 사용 극관은 애노드(Anode, 플레이트), 캐소드(Cathode)로 구성되는 단순한 구조의 진공관으로 한쪽으로만 전류가 흐르므로 교류 전기를 직류 전기로 바꾸는 정류관이나 검파용으로 활용된다. 최초에는 전신기에 사용하였다고 한..

卝   ┤├정의 흔히 '콘덴서'라고도 불리는데, 영미권에서는 'condenser'라는 단어가 축전기를 뜻하기도 하지만 주로 응축기의 의미로 사용되는 경우가 많다. 기능전압이 높을 때에는 전하를 모으고(충전) 전압이 낮으면 전하를 방출(방전)하여 전원 전압과 동일한 크기의 전위차를 유지하려 한다. 그러므로 직류 전원에 연결하면 전하가 충전되는 짧은 시간 동안 전류 크기가 감소하다가 결국 전류가 흐르지 못하게 된다. 이는 다른 말로 전압의 변화에 저항하여 전압의 급격한 변화를 막아준다는 뜻이다. 이와 대응되는 인덕터(코일)는 전류의 변화에 저항하여 전류의 급격한 변화를 막아주는 역할을 한다절연체의 유전 분극 현상을 이용하여 전기장을 만듦으로써 전기 에너지를 저장하는 역할개념 요약- 콘덴서는 교류 전류는 흐르..

커패시터 기본 개념커패시터의 기호는 C이고, 용량의 단위는 패럿(F)입니다. 1F=1000mF, 1mF=1000μF, 1μF=1000nF로 단위 변환이 가능합니다.주요 매개변수는 다음과 같습니다.공칭 커패시턴스: 2200μF, 10μF, 1nF, 104(0.1μF) 등 공칭값공차(오차): 10%, 5%, 0.5% 등정격전압(내전압): 160V, 50V, 1KV 등 최대 인가 전압그 외: 온도계수, 절연저항, 손실탄젠트, 주파수 특성 등 1. 캐패시턴스 값 선정설계 회로에서 요구되는 캐패시턴스 값을 먼저 결정합니다. 일반적으로 표준값 중 근사치를 선택하며, 고정밀이 필요한 경우 병렬 연결로 미세 조정할 수 있습니다. 2. 캐패시터 내압(정격전압) 선택2-1. 세라믹 커패시터 내압 캐패시터에 인가될 최대전압..

1. 목표 저항값 설정회로 설계에 필요한 저항값을 먼저 결정해야 합니다. 일반적으로 34.685KΩ 등의 특수한 값보다는 표준 저항값을 선택하는 것이 바람직합니다. 왜냐하면 표준값은 부품 호환성과 관리 측면에서 유리하기 때문입니다.표준 저항값에는 ±5%, ±1% 등 공차가 있습니다. 설계 민감도가 높지 않다면 ±5% 저항값 중에서 가장 근접한 값을 택하시면 됩니다. 예를 들어 10.5KΩ가 필요하다면 10KΩ를 사용할 수 있습니다.2. 저항 패키지 크기 선정선정한 저항값에 따라 적절한 정격전력을 가진 패키지 크기를 선택해야 합니다. 예를 들어 5V에서 1Ω 저항을 사용하면 25W의 전력 소모가 발생합니다. 이 경우 1W 정격의 칩 저항은 부족하므로 더 큰 패키지가 필요합니다.일반적인 칩 저항 정격은 다음..

1. 전자 회로전기 회로- 저항(R), 코일(L), 콘덴서(C)로 이루어진 회로전자 회로- RLC 외 다이오드, 트랜지스터 등 반도체 소자를 포함하는 회로 소자의 종류저항, 인덕터, 커패시터, 다이오드, 트랜지스터 등등전자 회로의 종류로는1. 증폭 회로2. 연산 증폭기3. 변조 회로4. 복조 회로5. 필터 회로6. 발진 회로7. 논리 회로8. 전원 회로정도가 있습니다1. 증폭 회로- 입력 신호를 크게 만들어 출력(증폭기 : Amplifier)증폭 회로는 신호의 세기(전력)를 높이기 위해 쓰이는 전기 회로이다. 증폭 회로를 통과한 출력 신호는 원래 입력신호와 모양이 같다 증폭 시, 이득(gain)은 입력된 신호의 전압과 출력된 전압의 비인 전압 이득(Voltage gain)과 입출력의 전력 측면에서 따지는..