기생다이오드MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 게이트, 소스, 드레인으로 이루어진 전계효과 트랜지스터입니다. 하지만 MOSFET의 내부 구조를 자세히 살펴보면 의도치 않게 생성된 '기생 다이오드'가 존재한다는 사실을 알게 됩니다 기생 다이오드의 생성 원리MOSFET은 기본적으로 N+로 도핑된 소스/드레인 영역과 P형 웰 또는 P형 바디(기판)로 구성됩니다. 제조 공정 중에 이 N+ 영역과 P 웰/바디 사이에 P-N 접합이 자연스레 형성되게 됩니다. 이렇게 형성된 P-N 접합에 의해 NMOS의 경우 소스에서 드레인 방향으로, PMOS의 경우 드레인에서 소스 방향으로 다이오드가 기생적으로 만들어지는 것입니다. 이를 바디 다이오드, 벌크 ..

Channel Open동작에 관해서는 여기를 클릭하세요Channel Pinch-OffMOSFET에서 게이트 전극에 문턱전압보다 높은 전압을 인가하고, 드레인 전압을 점차 증가시키면 독특한 현상이 발생합니다. 이를 핀치오프(Pinch-off) 현상이라고 합니다.핀치오프 현상의 원인MOSFET의 구조적 특성 때문입니다. 반도체 기판(p-sub)과 n+ 소스/드레인 영역은 PN 접합으로 볼 수 있습니다. 보통 반도체 기판은 GND(0V)로 연결되어 있고, 드레인 영역에는 양의 전압을 인가하므로 PN 접합에는 역바이어스가 걸리게 됩니다.역바이어스 상태에서는 PN 접합 부근의 공핍층(Depletion region) 영역이 커지게 됩니다. 이 공핍층이 점점 확장되면서 소스-드레인 사이의 채널 영역을 막아버리는 현상..

금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터( MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )는 디지털/아날로그 회로에서 가장 일반적으로 사용되는 전계효과 트랜지스터(FET)입니다.MOSFET은 N형 또는 P형 반도체 재료로 이루어진 채널로 구성되어 있습니다. 채널 재료에 따라 NMOSFET, PMOSFET로 분류되며, 두 가지를 모두 가진 소자를 상보형 MOSFET(CMOSFET)라고 합니다.FET 란?전계 효과 트랜지스터로, 트랜지스터와 함께 스위칭, 증폭, 발진 등의 기능을 수행합니다. 게이트 전극에 전압을 인가하면 전계 효과에 의해 게이트 아래 반도체 영역의 저항을 조절하여 전류를 제어합니다.FET은 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 총 ..

1. 전자 회로전기 회로- 저항(R), 코일(L), 콘덴서(C)로 이루어진 회로전자 회로- RLC 외 다이오드, 트랜지스터 등 반도체 소자를 포함하는 회로 소자의 종류저항, 인덕터, 커패시터, 다이오드, 트랜지스터 등등전자 회로의 종류로는1. 증폭 회로2. 연산 증폭기3. 변조 회로4. 복조 회로5. 필터 회로6. 발진 회로7. 논리 회로8. 전원 회로정도가 있습니다1. 증폭 회로- 입력 신호를 크게 만들어 출력(증폭기 : Amplifier)증폭 회로는 신호의 세기(전력)를 높이기 위해 쓰이는 전기 회로이다. 증폭 회로를 통과한 출력 신호는 원래 입력신호와 모양이 같다 증폭 시, 이득(gain)은 입력된 신호의 전압과 출력된 전압의 비인 전압 이득(Voltage gain)과 입출력의 전력 측면에서 따지는..